三星電子1日表示，公司將投入8萬億韓元在京畿道平澤工業園區投建尖端NAND內存生產線。

這是三星電子繼上月21日發布在該園區投建專司極紫外光（EUV）微影光刻技術的晶圓代工生產線計劃后，時隔10天再次發布投資計劃。雖然三星方面未公開具體投資金額，但業界推測上述晶圓代工生產線和NAND閃存生產線的投資規模分別達10萬億韓元和8萬億韓元。

三星電子已著手EUV晶圓代工生產和NAND內存生產所需的潔凈室建設，爭取在明年下半年投產5納米EUV芯片和V-NAND產品。屆時，平澤工業園區將成為覆蓋儲存芯片和系統芯片的尖端半導體復合生產基地。

三星電子表示，此次投資旨在應對隨人工智能、物聯網等第四次工業革命，以及5G普及而來的NAND需求。分析認為，在新冠疫情重創全球經濟的情況下，三星電子近期接連發表投資計劃，反映出欲在全球內存市場繼續拉大優勢的決心。